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092023-06
Nichicon 薄膜電容器 QAP2E106KRPNichicon薄膜電容器 QAP2E106KRP塑料薄膜電容器 QXK-ZH (擴展標準型)金屬化聚酯薄膜電容器在高頻應用、自愈性和非感應結構中，使用由真空蒸發金屬覆蓋的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜制成的電介質，具有高度可靠和優越的性能。采用液...
092023-06
Nichicon 薄膜電容器 1uF 400VNichicon薄膜電容器 1uF 400V塑料薄膜電容器 QXK-ZH (擴展標準型)金屬化聚酯薄膜電容器在高頻應用、自愈性和非感應結構中，使用由真空蒸發金屬覆蓋的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜制成的電介質，具有高度可靠和優越的性能。采用液體環氧...
072023-06
KEMET 薄膜電容器 100volts 1.5uFKEMET 薄膜電容器 100volts 1.5uF金屬化聚苯硫醚，穩定+150C高溫電容器SMR，5.0–27.5 mm引線間距，50–400 VDCSMR系列是一種金屬化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸發鋁電極的電容器。鍍錫線的徑向引線與電容器繞...
072023-06
KEMET 薄膜電容器 SMR15105J100B06L16.5CBULKKEMET 薄膜電容器 SMR15105J100B06L16.5CBULK金屬化聚苯硫醚，穩定+150C高溫電容器SMR，5.0–27.5 mm引線間距，50–400 VDCSMR系列是一種金屬化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸發鋁電極的電容器。鍍錫...
072023-06
KEMET 薄膜電容器 SMR22.5684K250D17L4TRAYKEMET 薄膜電容器 SMR22.5684K250D17L4TRAY金屬化聚苯硫醚，穩定+150C高溫電容器SMR，5.0–27.5 mm引線間距，50–400 VDCSMR系列是一種金屬化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸發鋁電極的電容器。鍍錫線的...
072023-06
KEMET 薄膜電容器 SMR5474J50J04L4BULKKEMET 薄膜電容器 SMR5474J50J04L4BULK金屬化聚苯硫醚，穩定+150C高溫電容器SMR，5.0–27.5 mm引線間距，50–400 VDCSMR系列是一種金屬化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸發鋁電極的電容器。鍍錫線的徑向引線...
072023-06
KEMET 薄膜電容器 2.2uF 63VKEMET 薄膜電容器 2.2uF 63V金屬化聚苯硫醚，穩定+150C高溫電容器SMR，5.0–27.5 mm引線間距，50–400 VDCSMR系列是一種金屬化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸發鋁電極的電容器。鍍錫線的徑向引線與電容器繞組端部上的...
052023-06
2023芯片市場的現狀與趨勢今年的芯片行情正所謂一波三折，從經濟體系可以側面看出，隨著人工智能的發展，如GPU相關的芯片市場供不應求據Gartner預測，2023年全球半導體收入總額將達到 5320 億美元，與2022年的5996億美元相比下降 11.2%。在經歷了過...

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